半导体器件物理与工艺 第3版【2025|PDF下载-Epub版本|mobi电子书|kindle百度云盘下载】

半导体器件物理与工艺 第3版PDF格式电子书版下载

注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具

第0章 引言1

0.1半导体器件1

0.2半导体工艺技术6

总结13

参考文献13

第1部分 半导体物理16

第1章 能带和热平衡载流子浓度16

1.1半导体材料16

1.2基本晶体结构19

1.3共价键23

1.4能带24

1.5本征载流子浓度29

1.6施主与受主33

总结38

参考文献39

习题39

第2章 载流子输运现象43

2.1载流子漂移43

2.2载流子扩散50

2.3产生与复合过程53

2.4连续性方程58

2.5热离化发射过程63

2.6隧穿过程64

2.7空间电荷效应65

2.8强电场效应67

总结71

参考文献72

习题73

第2部分 半导体器件77

第3章 p-n结77

3.1热平衡状态77

3.2耗尽区81

3.3耗尽电容86

3.4电流-电压特性90

3.5电荷存储与瞬态响应99

3.6结击穿101

3.7异质结107

总结109

参考文献109

习题110

第4章 双极型晶体管及相关器件113

4.1晶体管的工作原理113

4.2双极型晶体管的静态特性118

4.3双极型晶体管的频率响应与开关特性125

4.4非理想效应130

4.5异质结双极型晶体管133

4.6可控硅器件及相关功率器件137

总结144

参考文献144

习题145

第5章 MOS电容器及MOSFET150

5.1理想的MOS电容器150

5.2 SiO2-Si MOS电容器157

5.3 MOS电容器中的载流子输运163

5.4电荷耦合器件165

5.5 MOSFET基本原理169

总结180

参考文献180

习题181

第6章 先进的MOSFET及相关器件183

6.1 MOSFET按比例缩小183

6.2 CMOS与BiCMOS194

6.3绝缘层上MOSFET（SOI器件）199

6.4 MOS存储器结构203

6.5功率MOSFET211

总结212

参考文献213

习题214

第7章 MESFET及相关器件218

7.1金属-半导体接触218

7.2金半场效应晶体管（MESFET）228

7.3调制掺杂场效应晶体管（MODFET）235

总结240

参考文献241

习题242

第8章 微波二极管、量子效应和热电子器件245

8.1微波频段245

8.2隧道二极管246

8.3碰撞离化雪崩渡越时间二极管248

8.4转移电子器件251

8.5量子效应器件256

8.6热电子器件260

总结263

参考文献264

习题265

第9章 发光二极管和激光器267

9.1辐射跃迁和光吸收267

9.2发光二极管272

9.3发光二极管种类277

9.4半导体激光器288

总结304

参考文献305

习题306

第10章 光电探测器和太阳能电池309

10.1光电探测器309

10.2太阳能电池322

10.3硅及化合物半导体太阳能电池328

10.4第三代太阳能电池333

10.5聚光337

总结338

参考文献338

习题340

第3部分 半导体工艺343

第11章 晶体生长和外延343

11.1融体中单晶硅的生长343

11.2硅的悬浮区熔工艺349

11.3砷化镓晶体的生长技术352

11.4材料特性表征356

11.5外延生长技术362

11.6外延层的结构和缺陷369

总结373

参考文献374

习题375

第12章 薄膜淀积378

12.1热氧化378

12.2化学气相淀积介质384

12.3化学气相淀积多晶硅393

12.4原子层淀积396

12.5金属化398

总结408

参考文献408

习题409

第13章 光刻与刻蚀412

13.1光学光刻412

13.2下一代光刻技术424

13.3湿法化学腐蚀429

13.4干法刻蚀432

总结444

参考文献444

习题446

第14章 杂质掺杂449

14.1基本扩散工艺449

14.2非本征扩散456

14.3扩散相关过程460

14.4注入离子的分布462

14.5注入损伤与退火469

14.6注入相关工艺474

总结479

参考文献480

习题481

第15章 集成器件486

15.1无源元件486

15.2双极型晶体管技术490

15.3 MOSFET技术497

15.4 MESFET技术510

15.5纳电子学的挑战513

总结517

参考文献518

习题519

附录522

附录A符号列表522

附录B国际单位制（SI Units）524

附录C单位前缀525

附录D希腊字符表526

附录E物理常数527

附录F重要元素及二元化合物半导体材料的特性（300K时）528

附录G硅和砷化镓的特性（300K时）529

附录H半导体中态密度的推导530

附录I间接复合的复合率推导533

附录J对称共振隧穿二极管透射系数的计算535

附录K气体的基本动力学理论537

附录L各章部分习题的参考答案539

索引541